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華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地二期項目開工 總投資67億美元


(資料圖片僅供參考)

2023年6月30日,華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地二期項目開工儀式在江蘇無錫舉行,標志著華虹半導體“8 + 12”、先進“特色IC + Power”雙引擎戰(zhàn)略進一步深化,將特色工藝向更先進節(jié)點推進。

華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地是華虹集團走出上海、布局全國的第一個制造業(yè)項目。二期項目由華虹半導體制造(無錫)有限公司承擔,總投資67億美元,將建設一條工藝等級覆蓋65/55-40nm,月產能8.3萬片的12英寸特色工藝生產線。

根據官方披露,項目依托華虹半導體多年積累的全球領先特色工藝技術,聚焦車規(guī)級芯片,對非易失性存儲器、電源管理、功率器件等工藝領域進行深入布局和研發(fā),持續(xù)提升在新能源汽車、物聯網、新能源、智能終端等領域的應用。

6月28日,華虹半導體(01347)公告顯示,國家集成電路產業(yè)基金II簽署認購協議,大基金二期將作為戰(zhàn)略投資者參與認購華虹半導體科創(chuàng)板IPO股份,認購總金達到30億元。


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